专利

专利名称:挠性电路板制造过程自动监测和智能分析系统及方法
专利号:PCT/CN2015/100210
专利权人:华南理工大学
时间:2015-11-18
专利名称:一种HDI刚挠结合板层间盲孔全铜填充的制备方法
专利号:PCT/CN2015/094736
专利权人:安捷利电子科技(苏州)有限公司
时间:2015-11-16
专利名称:印刷电路板用电镀装置
专利号:PCT/CN2015/093471
专利权人:安捷利电子科技(苏州)有限公司
时间:2015-10-30
专利名称:立体电感线圈及采用印制电路法制备立体电感线圈的方法
专利号:PCT/CN2015/086589
专利权人:安捷利(番禺)电子实业有限公司
时间:2015-08-11
专利名称:一种新型的封装基板及其制作方法
专利号:PCT/CN2014/093408
专利权人:安捷利电子科技(苏州)有限公司
时间:2014-12-29
专利名称:METHOD OF ETCHING A SHALLOW TRENCH
专利号:15389414.0
专利权人:华力微电子
时间:2016-12-22
专利名称:一种电化学镀铜洗边宽度的自动调节装置和自动调节方法
专利号:201610415928.5
专利权人:华力微电子
时间:2016-06-14
专利名称:一种晶圆级可靠性热载子的并行测试方法
专利号:201610606956.5
专利权人:华力微电子
时间:2016-07-28
专利名称:一种曝光条件检测方法及系统
专利号:201610370132.2
专利权人:华力微电子
时间:2016-05-30
专利名称:浮栅制备方法
专利号:201610107395.4
专利权人:华力微电子
时间:2016-02-26
专利名称:一种验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法
专利号:201610088127.2
专利权人:华力微电子
时间:2016-02-17
专利名称:一种改善SONOS闪存器件可靠性的方法
专利号:201610114701.7
专利权人:华力微电子
时间:2016-03-01
专利名称:一种MOSFET BSIM4子电路器件模型及其建模方法
专利号:201610163792.3
专利权人:华力微电子
时间:2016-03-22
专利名称:一种双位无结闪存存储器及其编程、擦除和读取方法
专利号:201510422547.5
专利权人:华力微电子
时间:2015-07-17
专利名称:一种提高隧道氧化层可靠性的方法
专利号:201510277865.7
专利权人:华力微电子
时间:2015-05-27
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