专利

专利名称：一种SONOS双栅闪存器件及其编译方法
专利号：201510198895.9
专利权人：华力微电子
时间：2015-04-22
专利名称：一种SONOS双栅闪存器件及其编程、擦除方法
专利号：201510195178.0
专利权人：华力微电子
时间：2015-04-22
专利名称：一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法
专利号：201510174001.2
专利权人：华力微电子
时间：2015-04-13
专利名称：一种浮栅闪存器件及其编译方法
专利号：201510128242.3
专利权人：华力微电子
时间：2015-03-23
专利名称：一种双位闪存存储器及其编程、擦除和读取方法
专利号：201510128268.8
专利权人：华力微电子
时间：2015-03-23
专利名称：ONO介质层的制备方法
专利号：201410714893.6
专利权人：华力微电子
时间：2014-11-28
专利名称：一种闪存器件及其编程方法
专利号：201410654597.1
专利权人：华力微电子
时间：2014-11-17
专利名称：一种SONOS闪存器件及其编译方法
专利号：201410654511.5
专利权人：华力微电子
时间：2014-11-17
专利名称：SONOS闪存器件及其编译方法
专利号：201410427471.0
专利权人：华力微电子
时间：2014-08-27
专利名称：n沟道SONOS器件及其编译方法
专利号：201410428695.3
专利权人：华力微电子
时间：2014-08-27
专利名称：一种堆叠ONO夹层电介质结构的制备方法
专利号：201410374742.0
专利权人：华力微电子
时间：2014-07-31
专利名称：一种具有凸面栅极结构的B4-Flash
专利号：201410375182.0
专利权人：华力微电子
时间：2014-07-31
专利名称：一种变极性等离子弧焊接铝合金的方法
专利号：201610130857.4
专利权人：沈阳富创精密设备有限公司
时间：2016-03-07
专利名称：基于模糊推理-神经网络的等离子弧焊电流熔宽控制系统
专利号：201610546220.3
专利权人：沈阳富创精密设备有限公司
时间：2016-07-12
专利名称：一种高精度光学仪器基座框架焊接工艺
专利号：201610430238.7
专利权人：沈阳富创精密设备有限公司
时间：2016-06-16
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