专利
专利名称： 量子阱器件及其形成方法
专利号： 201510707751.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-27
专利名称： 绝缘体上III-V化合物衬底的制备方法
专利号： 201510703722.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-26
专利名称： 垂直晶体管及其制备方法
专利号： 201510703700.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-26
专利名称： SOI衬底及其制备方法
专利号： 201510683914.7
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-20
专利名称： CMOS结构及其制备方法
专利号： 201510683929.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-20
专利名称： 互补场效应晶体管及其制备方法
专利号： 201510671009.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-15
专利名称： 单晶硅锭及晶圆的形成方法
专利号： 201510672144.6
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-15
专利名称： 单晶硅锭及晶圆的形成方法
专利号： 201510667035.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-15
专利名称： 场效应晶体管及其制备方法
专利号： 201510667042.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-15
专利名称： 半导体结构及其形成方法
专利号： 201510659197.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-13
专利名称： 半导体结构及其形成方法
专利号： 201510658749.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-13
专利名称： 硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置
专利号： 201510661933.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-14
专利名称： 真空管闪存结构及其制造方法
专利号： 201510658550.7
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-12
专利名称： 晶圆的形成方法
专利号： 201510659200.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-13
专利名称： 外延层的形成方法
专利号： 201510658742.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-15