专利

专利名称： 绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法
专利号： 201610120843.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 晶圆热处理的方法
专利号： 201610120562.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 晶圆热处理的方法
专利号： 201610120844.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 监测基座温度均匀性的方法
专利号： 201510901208.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-12-08
专利名称： 监测基座温度均匀性的方法
专利号： 201510900577.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-12-08
专利名称： 垂直真空密封碳纳米管场效应晶体管及其制造方法
专利号： 201510981315.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-12-23
专利名称： 全密封真空纳米管场效应晶体管及其制造方法
专利号： 201510981410.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-12-23
专利名称： 互补纳米线半导体器件及其制造方法
专利号： 201510943725.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-12-15
专利名称： 单晶硅锭及晶圆的形成方法
专利号： 201510939120.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-12-15
专利名称： 具有漂移区和渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法
专利号： 201510924724.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-12-11
专利名称： 双沟道FinFET器件及其制造方法
专利号： 201510844310.6
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-11-26
专利名称： 具有漂移区的高压无结场效应器件及其形成方法
专利号： 201510765530.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-11-11
专利名称： 高压无结场效应器件及其形成方法
专利号： 201510746889.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-11-06
专利名称： 高压无结场效应器件及其形成方法
专利号： 201510749582.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-11-06
专利名称： 量子阱器件及其形成方法
专利号： 201510707771.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2015-10-27
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