专利
专利名称： 提高硅晶片外延层表面平整度的方法
专利号： 201610278896.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-28
专利名称： 真空管闪存结构及其制造方法
专利号： 201610173638.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-24
专利名称： 液晶显示器面板及其像素单元的制备方法
专利号： 201610318473.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-13
专利名称： 液晶显示器面板及其像素单元的制备方法
专利号： 201610173628
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-24
专利名称： 微电子结构及其形成方法
专利号： 201610293503.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-05
专利名称： 石墨烯场效应晶体管及其制造方法
专利号： 201610173589.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-24
专利名称： 半导体结构及其形成方法
专利号： 201610319775.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-13
专利名称： 真空管闪存结构之制造方法
专利号： 201610120869.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 鳍状场效应晶体管及其制备方法
专利号： 201610120862.7
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法
专利号： 201610120580.7
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 鳍状场效应晶体管及其制备方法
专利号： 201610120577.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法
专利号： 201610120565.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 互补纳米线半导体器件及其制备方法
专利号： 201610120564.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭
专利号： 201610120879.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭
专利号： 201610120860.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03