专利

专利名称： 伯努利基座
专利号： 201610278821
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-28
专利名称： 晶圆控片及其制造方法
专利号： 201610278144.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-28
专利名称： 晶圆金属污染的评估方法
专利号： 201610237873.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-15
专利名称： 单晶硅锭及晶圆的形成方法
专利号： 201610224914.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-12
专利名称： 区熔法生长硅单晶用气体喷射与射频加热一体装置及方法
专利号： 201610140082.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-11
专利名称： 表面声波器件及其制造方法、温度检测设备
专利号： 201610236703.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-15
专利名称： 伯努利基座装置及沉积设备
专利号： 201610237765.6
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-15
专利名称： 伯努利基座装置及沉积设备
专利号： 201610236823.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-15
专利名称： 减少外延衬底缺陷的形成方法
专利号： 201610293626.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-05
专利名称： 减少外延衬底缺陷的形成方法
专利号： 201610205601.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-01
专利名称： 降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置
专利号： 201610218470.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-08
专利名称： 降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置
专利号： 201610218416.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-08
专利名称： 制造石墨烯场效晶体管的方法
专利号： 201610356807.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-26
专利名称： 双栅极石墨烯场效应晶体管及其制造方法
专利号： 201610173661.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-24
专利名称： 微电子结构及其形成方法
专利号： 201610293052.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-05
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