专利

专利名称： SiC晶体切片移动设备及移动方法
专利号： 201611167941.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-16
专利名称： 硅片的制作方法
专利号： 201710068794.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-02-08
专利名称： 一种硅片研磨装置及其研磨方法
专利号： 201611264423.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-30
专利名称： 具有黑磷沟道层的低接触电阻率FinFET及其制备方法
专利号： 201611100748.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-05
专利名称： 晶棒线切割装置及晶棒线切割方法
专利号： 201611100725.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-05
专利名称： 真空管场效应晶体管阵列及其制造方法
专利号： 201611204711.6
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-23
专利名称： 神经元晶体管结构及其制备方法
专利号： 201611235618.1 
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-28
专利名称： 一种神经元晶体管结构及其制备方法
专利号： 201611235603.5 
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-28
专利名称： 一种无结半导体沟道栅阵列存储器结构及其制备方法
专利号： 201611236881.2 
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-28
专利名称： 一种栅阵列无结半导体沟道存储器结构及其制备方法
专利号： 201611236887.X 
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-28
专利名称： 测量方法
专利号： 201611113180.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-07
专利名称： 晶圆表面平坦度测量系统
专利号： 201611100690.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-05
专利名称： 晶片放置装置和晶片定向仪
专利号： 201710051656.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-19
专利名称： 4H-SiC晶体生长方法
专利号： 201611116598.6
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-07
专利名称： 一种晶棒固定装置
专利号： 201621296061.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-29
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