专利
专利名称： 一种复合石墨烯超导带材结构及其制备方法
专利号： 201710209379.0
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-03-31
专利名称： 一种直拉单晶硅方法
专利号： 201710188098.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-03-27
专利名称： 自对准晶种层及自对准薄膜的制备方法
专利号： 201710134405.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-03-08
专利名称： 具有原子级平整表面的薄膜的制备方法
专利号： 201710135017.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-03-08
专利名称： 宏观划痕长度测量装置
专利号： 201710062812.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-25
专利名称： 适用于单片式外延炉的分离式基座组件
专利号： 201710056500.0
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-25
专利名称： 竖直插入式阻挡脚及伯努利吸盘
专利号： 201710062833.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-25
专利名称： 籽晶夹头及单晶提拉炉
专利号： 201710056545.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-25
专利名称： 一种后栅无结与非门闪存存储器及其制作方法
专利号： 201710028176.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-13
专利名称： 一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法
专利号： 201710004518.6
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-04
专利名称： 一种OLED结构及其制作方法
专利号： 201611256318.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-30
专利名称： 一种晶圆传片结构
专利号： 201611247974.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-29
专利名称： 基于激光水射流的晶圆减薄设备及方法
专利号： 201611261712.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-30
专利名称： 基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法
专利号： 201611261713.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-30
专利名称： SiC晶体切片设备及切片方法
专利号： 201611154276.0
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-14