专利
专利名称： 基于FTIR的表征设备
专利号： 201610987721.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-10
专利名称： 超导带及其制造方法
专利号： 201610985266.5
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-10-25
专利名称： 单晶生长炉热屏及其制造方法
专利号： 201610959752.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-10-28
专利名称： 自动进料系统及进料方法
专利号： 201610953027.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-03
专利名称： 校准晶片及其制造方法
专利号： 201610934480.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-10-25
专利名称： 一种带有溢流腔的尾气处理装置
专利号： 201611060006.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-24
专利名称： 4H-SiC晶体生长设备及方法
专利号： 201611022469.0
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-17
专利名称： 坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法
专利号： 201611024115.X
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-17
专利名称： 浮区法生长晶体的设备及方法
专利号： 201611022589.0
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-17
专利名称： 改善晶圆表面切割形貌的线切割系统
专利号： 201611139742.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-12
专利名称： 一种半导体晶片湿法清洗设备
专利号： 201610971358.8
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-03
专利名称： 一种互补晶体管器件结构及其制作方法
专利号： 201610986588.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-11-09
专利名称： 一种磁控去除硅化物颗粒的尾气处理装置
专利号： 201611091074.6
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-01
专利名称： 一种多晶硅二次加料装置及方法
专利号： 201610825530.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-14
专利名称： 互补CMOS管的制造方法
专利号： 201610916657.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-10-20