专利

专利名称： 量子阱裝置及其形成方法
专利号： 105106586
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
专利名称： 絕緣體上三五族化合物基板的製備方法
专利号： 105102953
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-01-29
专利名称： 垂直電晶體及其至製備方法
专利号： 105107813
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-14
专利名称： SOI基底及其製備方法
专利号： 105107812
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-14
专利名称： CMOS結構其製備方法
专利号： 105102266
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-01-25
专利名称： 互補金氧半場效電晶體及其製備方法
专利号： 105107093
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-08
专利名称： 單晶矽晶錠及晶圓的形成方法
专利号： 105107811
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-14
专利名称： 單晶矽晶錠及晶圓的形成方法
专利号： 105106935
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-07
专利名称： 場效電晶體及其製備方法
专利号： 105107619
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-11
专利名称： 半導體結構及其形成方法
专利号： 105106928
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-07
专利名称： 半導體結構及其形成方法
专利号： 105107087
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-08
专利名称： 矽單晶棒回收裝置、矽單晶棒回收方法、以及液氮供應裝置
专利号： 105107085
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-08
专利名称： 真空管快閃記憶體結構與其製造方法
专利号： 105107435
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-10
专利名称： 磊晶层的形成方法
专利号： 105107081
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-08
专利名称： 磊晶层的形成方法
专利号： 105106530
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-03
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