专利

专利名称： 絕緣層上覆矽基板及其製造方法
专利号： 105118826
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-15
专利名称： 晶圓熱處理的方法(二)
专利号： 105113336
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-28
专利名称： 晶圓熱處理的方法(一)
专利号： 105113326
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-28
专利名称： 監測基座溫度均勻性的方法
专利号： 105118035
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-07
专利名称： 監測基座溫度均勻性的方法
专利号： 105118438
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-13
专利名称： 垂直真空密封奈米碳管場效電晶體及其製造方法
专利号： 105118033
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-07
专利名称： 全密封真空奈米碳管場效電晶體及其製造方法
专利号： 105118437
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-13
专利名称： 互補奈米線半導體元件及其製造方法
专利号： 105118031
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-07
专利名称： 單晶矽錠及晶圓的形成方法
专利号： 105118435
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-13
专利名称： 具有漂移區和漸變通道的高壓無接面場效應元件及其形成方法
专利号： 105118029
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-07
专利名称： 雙通道FinFET元件及其製造方法
专利号： 105118436
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-13
专利名称： 高壓無接面場效元件及其製造方法
专利号： 105107437
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-10
专利名称： 高壓無接面場效元件及其製造方法
专利号： 105103631
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-01-03
专利名称： 高壓無接面場效應元件及其形成方法
专利号： 105107436
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-10
专利名称： 量子阱元件及其形成方法
专利号： 105106939
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-07
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