专利
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 15/268,222
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-16
专利名称： FINFET AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号： 15/270,966
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-20
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 15/415,609
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-25
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 15/258,899
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-07
专利名称： COMPLEMENTARY NANOWIRE SEMICONDUCTOR DEVICE AND
FABRICATION METHOD THEREOF
专利号： 15/268,164
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-16
专利名称： METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALLINE SILICON AND MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT PREPARED THEREOF
专利号： 15/198,893
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-30
专利名称： METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALLINE SILICON AND MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT PREPARED THEREOF
专利号： 15/268,083
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-16
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 15/198,805
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-30
专利名称： THERMAL PROCESSING METHOD FOR WAFER
专利号： 15/268,006
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-16
专利名称： THERMAL PROCESSING METHOD FOR WAFER
专利号： 15/198,706
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-30
专利名称： A High-voltage Junctionless Device with Drift Region and the Method for Making the Same
专利号： 15/012,864
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-02-02
专利名称： High voltage junetionless field effect device and its method of fabrication
专利号： 15/012,873
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-02-02
专利名称： Method For Formation Of VerticalL Cylindrical GaN Quantum Well Transistor
专利号： 15/491,988
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-04-20
专利名称： Method For Formation Of VerticalL Cylindrical GaN Quantum Well Transistor
专利号： 15/077,867
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-22
专利名称： SOI STRUCTURE AND FABRICATION METHOD
专利号： 15/067,196
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-11
