专利
专利名称： SOI基板及びそよ製造方法
专利号： 2016-186873
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-26
专利名称： 単結晶シリコンを成長させる方法
专利号： 2016-137621
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-07-12
专利名称： SOI基板及びそよ製造方法
专利号： 2016-139399
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-07-14
专利名称： ウエハの熱処理方法
专利号： 2016-146182
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-07-26
专利名称： SOI構造および製造方法
专利号： 2016-108526
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-31
专利名称： 単結晶シリコソイソゴツト及びウエハの形成方法
专利号： 2016-123431
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-22
专利名称： 単結晶シリコソイソゴツトあよびウエーハの形成方法
专利号： 2016-115362
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-09
专利名称： ウエハ形成方法
专利号： 2016-123427
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-22
专利名称： エピタキシャル層を形成する方法
专利号： 2016-098691
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-17
专利名称： METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALLINE SILICON BY USING CZOCHRALSKI METHOD
专利号： 15/392,118
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-12-28
专利名称： HYBRID INTEGRATION FABRICATION OF NANOWIRE GATE-ALL-AROUND GE PFET AND POLYGONAL III-V PFET CMOS DEVICE
专利号： 15/491,989
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-04-20
专利名称： HYBRID INTEGRATION FABRICATION OF NANOWIRE GATE-ALL-AROUND GE PFET AND POLYGONAL III-V PFET CMOS DEVICE
专利号： 15/157,421
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-18
专利名称： SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号： 15/271,029
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-20
专利名称： Metal-ONO-Vacuum Tube Charge Trap Flash (VTCTF) Nonvolatile Memory and the method for making the same
专利号： 15/202,418
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-07-05
专利名称： FINFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 15/270,992
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-20
