专利
专利名称： Method for forming monocrystallinne silicon ingot and wafers
专利号： 10201611224.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-27
专利名称： Method for forming monocrystallinne silicon ingot and wafer
专利号： 102016115518.7
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-08-22
专利名称： Method for forming wafer
专利号： 102016115524.1
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-08-22
专利名称： Verfahren zur Ausbukdung einer Epitaxialschicht
专利号： 102016113402.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-07-20
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 10-2017-0023872
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-02-23
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 10-2017-0023836
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-02-23
专利名称： METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALLINE SILICON AND MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT PREPARED THEREOF
专利号： 10-2016-0098817
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-08-03
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 10-2017-0023070
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-02-21
专利名称： THERMAL PROCESSING METHOD FOR WAFER
专利号： 10-2017-0022621
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-02-21
专利名称： SOI STRUCTURE AND FABRICATION METHOD
专利号： 10-2016-0123796
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-27
专利名称： Method for forming monocrystalline silicon ingot and wafers
专利号： 10-2016-0122925
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-26
专利名称： METHOD FOR FORMING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT AND WAFER
专利号： 10-2016-0092662
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-07-21
专利名称： METHOD FOR FORMING WAFER
专利号： 10-2016-0122782
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-26
专利名称： METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER
专利号： 10-2016-0085551
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-07-06
专利名称： SOI基板及びそよ製造方法
专利号： 2016-186878
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-26
