专利
专利名称：一种晶圆平坦化方法
专利号：201610540682.4
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-07-11
专利名称：用于晶片表面金属薄膜抛光过程的电涡流测量装置
专利号：201610290914.5
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-05-04
专利名称：晶圆搬运装置及使用方法
专利号：201610287822.1
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-05-04
专利名称：抛光头进给加压抛光方法、控制器及进给加压机构
专利号：201610287819.X
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-05-04
专利名称：一种晶圆清洗设备
专利号：201610287816.6
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-05-04
专利名称：半导体加工工艺参数智能控制方法
专利号：201610273165.5
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-04-28
专利名称：抛光头调平装置及方法
专利号：201610152904.5
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-03-17
专利名称：一种半导体晶圆电镀用导电片及接电点密封结构
专利号：201610991073.0
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-11-11
专利名称：一种半导体晶圆电镀夹具及夹持方法
专利号：201610991074.5
专利权人：中国电子科技集团公司第四十五研究所
时间：2016-11-11
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 102017101547.7
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-26
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号： 102017100054.2
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-01-03
专利名称： Method for growing monocrystalline silicon and monocrystalline silicon ingot prepared thereof
专利号： 102016115436.9
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-08-19
专利名称： SOI SUBSTRATE AND MANUFACTUREING METHOD THEREOF
专利号： 102016119644.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-10-14
专利名称： THERMAL PROCESSING METHOD FOR WAFER
专利号： 102016114940.3
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-08-11
专利名称： SOI Structureand fabrication method
专利号： 102016118509.4
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-09-29
