专利
专利名称： METHOD OF PREPARATION OF III-V COMPOUND LAYER ON LARGE AREA SI INSULATING SUBSTRATE
专利号： 15/067,192
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-03-11
专利名称： Vertical transistor and the fabrication methods
专利号： 15/491,985
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-04-20
专利名称： Vertical transistor and the fabrication methods
专利号： 15/003,809
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-01-22
专利名称： SOI STRUCTURE AND FABRICATION METHOD
专利号： 15/166,015
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-26
专利名称： COMS Structure and fabrication Method thereof
专利号： 15/004,245
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-01-22
专利名称： COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD THEREOF
专利号： 15/166,076
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-26
专利名称： Method for forming monocrystalline silicon ingot and wafers
专利号： 15/178,080
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-09
专利名称： METHOD FOR FORMING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT AND WAFER
专利号： 15/165,937
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-26
专利名称： METHOD FOR MAKING III-V NANOWIRE QUANTUM WELL TRANSISTOR
专利号： 15/452,764
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2017-03-08
专利名称： METHOD FOR MAKING III-V NANOWIRE QUANTUM WELL TRANSISTOR
专利号： 15/161,504
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-23
专利名称： SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号： 15/166,032
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-26
专利名称： SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREOF
专利号： 15/161,472
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-23
专利名称： VACUUM TUBE NONVOLATILE MEMORY AND THE METHOD FOR MAKING THE SAME
专利号： 15/161,442
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-05-23
专利名称： METHOD FOR FORMING WAFER
专利号： 15/178,041
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-06-09
专利名称： METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER
专利号： 15/134,722
专利权人： 上海新昇半导体科技有限公司
时间：2016-04-21
