专利

专利名称：鳍式场效应管及其制作方法
专利号：201510547992.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-31
专利名称：MOS晶体管及其形成方法
专利号：201510373347.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510381676.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-07-02
专利名称：MOS晶体管的形成方法
专利号：201510292970.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-01
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510536224.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-27
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510464307.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-30
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510373552.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-30
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510372784.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-30
专利名称：鳍片式双极型半导体器件及其制造方法
专利号：201510551705.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-01
专利名称：NEW BJT STRUCTURE DESIGN FOR 14NM FINFET DEVICE
专利号：15/236,329
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510372884.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-06-30
专利名称：鳍片式双极型半导体器件及其制造方法
专利号：201510551016.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-01
专利名称：METHOD TO ENHANCE 14NM FINFET DEVICE PERFORMANCE BY THE STI OXIDE LOSS CONTROL
专利号：15/236,344
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510541058.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-08-28
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510373975.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-06-30
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