专利

专利名称：N型鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510218752.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-30
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201510493296.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510493286.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-12
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510158085.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-03
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510158067.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-03
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510252441.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-18
专利名称：MOS晶体管及其形成方法
专利号：201510387736.3
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-02
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510252857.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-18
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201510493003.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-12
专利名称：一种FinFET器件界面态的测量结构及测量方法、电子装置
专利号：201510255703.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-19
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510377770.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-07-01
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510387733.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-07-02
专利名称：高K金属栅极结构、鳍式场效应晶体管及其制作方法
专利号：201510547991.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-08-31
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201510377725.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-07-01
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510381679.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-07-02
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