专利
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201510014277.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-12
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510260087.0
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-20
专利名称：NMOS晶体管及其制作方法
专利号：201510225525.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-05
专利名称：MOS晶体管的形成方法
专利号：201510215853.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-29
专利名称：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
专利号：201510086441.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-02-17
专利名称：FINFET STRUCTURE AND METHOD OF FOMING SAME
专利号：15/008,313
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-01-27
专利名称：LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
专利号：201510181790.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-16
专利名称：一种半导体器件及其制作方法和电子装置
专利号：201510058467.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-02-04
专利名称：METHOD AND DEVICE FOR HIGH K METAL GATE TRANSISTORS
专利号：15/002,020
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-01-20
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201510051608.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-30
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510051594.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-30
专利名称：半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510290564.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-05-29
专利名称：半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510293006.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-06-01
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE,FINFET TRANSISTOR AND FABRICATION THEREOF
专利号：15/169,818
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-06-01
专利名称：鳍式场效应晶体管的形成方法
专利号：201510215866.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-29
