专利
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510012068.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-09
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510006922.8
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-07
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510016784.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-13
专利名称：LDMOS晶体管的形成方法及LDMOS晶体管
专利号：201510005633.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-06
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201510007238.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-07
专利名称：晶体管及其形成方法、半导体结构及其形成方法
专利号：201510051493.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-30
专利名称：一种半导体器件的制造方法和电子装置
专利号：201510033538.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-22
专利名称：TECHNIQUE OF REDUCING SHALLOW TRENCH ISOLATION LOSS DURING FIN FORMATION IN FINFETS
专利号：14/991,184
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-01-08
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201510012074.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-09
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
专利号：14/992,448
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-01-11
专利名称：一种FinFET器件及其制造方法、电子装置
专利号：201510019288.1
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-14
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510009275.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-08
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510215960.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-29
专利名称：N型鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201510006054.3
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-06
专利名称：FINFET AND METHOD FOR FORMING THE SAME
专利号：14/989,215
专利权人：SMIC(SH)
时间：2016-01-06
