专利
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610518861.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-04
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610422919.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-15
专利名称：一种半导体器件的制作方法
专利号：201610459887.X
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-22
专利名称：一种半导体器件及其制作方法、电子装置
专利号：201610802667.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-09-05
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201610206310.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-05
专利名称：鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201610424017.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-06-15
专利名称：氮化硅薄膜去除方法及半导体器件的制作方法
专利号：201610340628.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-19
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201610531683.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-07
专利名称：去除含氧副产物、清洗刻蚀腔和形成半导体结构的方法
专利号：201610315861.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-12
专利名称：测试结构及其形成方法以及测试方法
专利号：201610292139.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-05-05
专利名称：层间互连部件的可靠性评估方法
专利号：201610871107.2
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-30
专利名称：测试结构以及测试方法
专利号：201610531759.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-07-07
专利名称：半导体装置及其制造方法
专利号：201610871131.6
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-09-30
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201610274387.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-04-28
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201610664298.5
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2016-08-12