专利
专利名称：薄膜沉积方法
专利号：201710086741.X
专利名称：磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室
专利号：201611220102.X
专利名称：磁性靶材组件及其制备方法、溅射腔室
专利号：201611217889.4
专利名称：一种腔室和半导体设备
专利号：201611153582.2
专利名称：一种腔室和半导体设备
专利号：201611153550.2
专利名称：片盒、反应腔室和半导体设备
专利号：201611142352.6
专利名称：磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备
专利号：201611117907.1
专利名称：去气腔室和半导体加工设备
专利号：201611076086.1
专利名称：一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备
专利号：201611045887.1
专利名称：测温装置及工艺腔室
专利号：201610973541.1
专利名称：一种软磁薄膜及其制备方法
专利号：201610934742.0
专利名称：磁控溅射腔室、磁控溅射设备以及磁控管
专利号：201610930978.7
专利名称：磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件
专利号：201610929057.9
专利名称：磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备
专利号：201610929208.0
专利名称：一种磁控元件和磁控溅射装置
专利号：201610779067.9
