专利

专利名称：金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法
专利号：201611235875.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-12-28
专利名称：一种形成空气隙/铜互连的方法
专利号：201611234439.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-12-28
专利名称：一种高精度温控电阻测试系统
专利号：201611216969.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-12-26
专利名称：一种在线检测研磨垫使用周期的装置及检测方法
专利号：201611214492.X
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-12-23
专利名称：一种消除SOI有源区中自间隙硅原子的工艺方案
专利号：201611076586.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-11-30
专利名称：微电子细胞分析电极及其制备方法
专利号：201610945300.6
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-11-02
专利名称：柔性衬底的形成方法
专利号：201610771425.1
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-08-30
专利名称：自监控真空泄露的器件、制备方法、系统及自监控方法
专利号：201610564787.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2016-07-18
专利名称：具有石墨烯的金属栅电极的半导体器件及其制造方法
专利号：201510953152.8
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2015-12-17
专利名称：具有石墨烯的铜互连结构及其形成方法
专利号：201510953119.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2015-12-17
专利名称：采用脉冲触发方式实现主电路上电的启动电路
专利号：201510916322.5
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2015-12-10
专利名称：一种晶圆背面对准的工艺集成方法
专利号：201510915731.3
专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
时间：2015-12-10
专利名称：电镀槽
专利号：201610704316.8
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2016-08-22
专利名称：SUBSTRATE HEAT TREATMENT APPARATUS
专利号： PCT/CN2016/076681
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2016-03-18
专利名称：SUBSTRATE HEAT TREATMENT APPARATUS
专利号：106100637
专利权人：盛美半导体设备（上海）有限公司
时间：2017-01-09
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