2020年3月27日，昆山市科技创新发展推进会暨祖冲之攻关计划表彰仪式举行。

　　华天科技（昆山）电子有限公司的“12英寸圆片级高密度硅基扇出型封装技术的研发及产业化”项目荣获首届“金π奖”，也是唯一获得金π奖的项目。

　　华天昆山2015年开始扇出封装技术开发，2018年开发成功具有自主知识产权的埋入硅基板扇出型封装技术eSiFO®（embedded Silicon Fan-out）并进入量产。与使用模塑料塑封不同，eSiFO®使用硅基板为载体，通过在硅基板上刻蚀凹槽，将芯片正面向上放置且固定于凹槽内，芯片表面和硅圆片表面构成了一个扇出面，在这个面上进行多层布线，并制作引出端焊球，最后切割，分离、封装。

华天科技eSiFO®示意图

　　eSiFO®技术具有如下优点：

　　可以实现多芯片系统集成SiP，易于实现芯片异质集成

　　满足超薄和超小芯片封装要求

　　与标准晶圆级封装兼容性好，无污染

　　良好的散热性和电性

　　可以在有源晶圆上集成

　　工艺简单，翘曲小，无塑封/临时键合/拆键合

　　封装灵活：WLP/BGA/LGA/QFP等

　　与TSV技术结合可实现高密度三维集成

　　由于技术的创新型和巨大应用潜力，2018年3月获评集成电路产业技术创新联盟创新奖。

　　该技术目前有三个主要应用领域，多芯片系统级封装，5G毫米波射频以及三维扇出堆叠。在5G射频领域，其中多芯片堆叠产品包括4G 射频前端，毫米波芯片。2018年11月，华天科技与微远芯发布新闻，成功完成40GHz毫米波eSiFO®封装技术开发，性能优异。

　　2018年华天昆山进一步开发了基于硅基板的三维扇出技术，值得一体的是埋入硅基板扇出型3D封装结构已获得国家发明专利授权（授权号CN105575913B）。该技术的特点是利用TSV作为垂直互联，互连密度可以大大高于目前的台积电InFO技术。

 台积电与华天三维晶圆级技术比较 

　　eSiFO®封装技术为后摩尔时代高性能芯片集成封装提供了新的解决方案，随着产品应用的不断丰富，必将推动整个行业的技术发展。