2016年11月15日，由长春光机所牵头承担的国家科技重大专项02专项——“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利完成验收前现场测试。在长春光机所、成都光电所、上海光机所、中科院微电子所、北京理工大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学等参研单位的共同努力下，历经八年的戮力攻坚，圆满地完成了预定的研究内容与攻关任务，突破了现阶段制约我国极紫外光刻发展的核心光学技术，初步建立了适应于极紫外光刻曝光光学系统研制的加工、检测、镀膜和系统集成平台，为我国光刻技术的可持续发展奠定了坚实的基础。

　　光刻技术是集成电路制造产业的核心，决定着集成电路的元件特征尺寸。伴随半导体产业摩尔定律延续，极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL）被公认为是最具潜力的下一代光刻技术。

　　极紫外光刻是一种以13.5nm的EUV光为工作波长的投影光刻技术，是传统投影光刻技术向更短波长的延伸，正处于产业化的临界点。作为工业制造领域尖端技术的融合，世界上只有少数几家研究机构及公司掌握此技术。目前，EUVL技术的国际垄断局面已经初步形成，对我国形成了技术封锁，将来的销售政策也难以预料。我国自上世纪九十年代起关注并发展EUVL技术，初期开展了EUV光源、EUV多层膜、超光滑抛光技术等基础性关键技术研究。2008年“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项将EUVL技术列为下一代光刻技术重点攻关，《中国制造2025》将EUVL列为了集成电路制造领域的发展重点，并计划在2030年实现EUV光刻机的国产化。

　　在02专项任务牵引下，长春光机所应光室的短波光学研究团队潜心钻研，艰苦奋战，在EUV光学系统协同设计、膜厚控制精度达原子量级的EUV多层膜技术、深亚纳米量级的超光滑非球面加工与检测技术、超高精度物镜系统波像差检测及集成技术等方面，突破了一系列EUVL工程化关键技术瓶颈；成功研制了小视场EUVL曝光光学系统，投影物镜波像差优于0.75nm(RMS)，构建了EUVL静态曝光装置，获得32nm线宽的光刻胶曝光图形；建立了EUVL关键技术验证及工艺测试平台。通过项目的实施，圆满地实现了极紫外成像光学技术的跨越，形成了一支具有国内领先、国际先进水平的研究队伍，为开展极紫外光刻曝光光学系统的工程研制奠定了坚实的人才与技术基础。