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中芯联手两大基金进展至14nm,现实与挑战如何应对?

2018-02-10   全球半导体观察

不久前,中芯国际宣布公司联手两大政府基金,共同投资102.4亿美元以加快14nm技术发展,中国国家集成电路产业基金(俗称大基金)、上海集成电路产业基金将入股其子公司中芯南方。

中芯南方主营集成电路芯片制造、针测和凸块制造等业务,为中芯国际发展14nm及以下先进制程的12英寸晶圆厂。获得资本支持的中芯南方,预期将专注研发14nm及以下制程技术,并扩大产能,目标产能为每月3.5万片晶圆。

先巩固28nm HKMG制程良率,再投入14nm较为妥当

28nm晶体管闸极架构分成两种,一是Poly/SiON架构,但其闸极氧化层太薄因此有漏电流缺点,应用于较低阶市场;另一种是HKMG架构,此架构比Poly/SiON能耗低30%左右,不仅漏电流问题改善,且可做出更小的晶体管,因此下世代制程基本上是以此结构进行改良。

目前中芯最先进的28nm制程是Poly/SiON架构,简言之,中芯要进展至14nm,在研发端必须先克服28nm HKMG挑战,缺乏28nm HKMG开发经验直接挑战14nm并不太现实。

因此将研发能量集中在开发相对于14nm难度较低的28nm HKMG,并以此基础再接续14nm研发,以减少研发过程中不必要的时间浪费是较为妥当方式。

着力于培养制程经验丰富的基层团队最有助于良率稳定

现阶段中芯28nm良率尚未稳定,表示在既有制程的管理上仍有些问题尚未克服,毕竟先进制程是站在既有制程的基础上才得以稳定发展,而制程优化是一连串问题发现及流程改善反覆不断交替的过程,非常需要经验累积。

如果以缺乏28nm HKMG制程经验的状态挺进14nm,在遭遇良率不佳或良率不稳的情形时,将造成工程人员在维持良率稳定时不易分辨问题的真正来源,使得复杂的除错过程影响经验的累积速度。

以台积电为例,台积电在先进制程的良率表现优异主要来自长期累积的制程经验,以此经验规划严格的管理机制及流程,更重要的是培养出经验丰富的基层员工团队,此管理经验是相当值得中芯借鉴的。

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