专利
专利名称：测试结构及其形成方法、测试方法
专利号：201510540806.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-08-28
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201510438155.8
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-23
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201510377767.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-01
专利名称：半导体装置的制造方法
专利号：201510860803.9
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-12-01
专利名称：Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof
专利号：16199530.3
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-11-21
专利名称：SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号：15/365,825
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2016-11-30
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510621757.7
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-25
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201510438174.0
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-07-23
专利名称：一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置
专利号：201510669901.4
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-10-13
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510621562.2
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-25
专利名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
专利号：201510615428.1
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-24
专利名称：离子注入方法
专利号：201510574381.9
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-10
专利名称：一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置
专利号：201510621766.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-25
专利名称：一种用于ESD防护的STI二极管
专利号：201510615429.6
专利权人：SMIC(SH)-SMIC(BJ)
时间：2015-09-24
专利名称：半导体装置的制造方法
专利号：201510861184.5
专利权人：SMIC(BJ)-SMIC(SH)
时间：2015-12-01
