专利
专利名称：FIN-TYPE FIELD ERRECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号：14/674,873
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-03-31
专利名称：METHOD FOR FINFET SRAM RATIO TUNING
专利号：14/250,355
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-10
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201410050493.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-02-13
专利名称：晶体管的形成方法
专利号：201410135925.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-04
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201410014510.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-01-13
专利名称：METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND ADJUSTING THRESHOLD VOLTAGES IN THE SAME
专利号：14/591,716
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-01-07
专利名称：finFET器件及其制作方法
专利号：201510158698.4
专利权人：SMIC(SH)
时间：2015-04-03
专利名称：一种半导体器件及其制作方法
专利号：201410135858.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-04-04
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201410088249.2
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-03-11
专利名称：在后栅工艺中形成不同厚度的栅氧化层的方法
专利号：201410322652.7
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-07-08
专利名称：高K金属栅CMOS器件及其形成方法
专利号：201410403365.9
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-08-15
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410016472.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-01-14
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410010191.X
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-01-09
专利名称：一种制作半导体器件的方法
专利号：201410033148.5
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-01-24
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201410060803.6
专利权人：SMIC(SH)
时间：2014-02-21
