专利

专利名称：一种大功率压接式IGBT驱动线
专利号：201510960378.0
专利权人：全球能源互联网研究院
时间：2015-12-18
专利名称：一种新型压接式IGBT模块
专利号：201510960380.8
专利权人：全球能源互联网研究院
时间：2015-12-18
专利名称：一种压接型IGBT/FRD子单元
专利号：201610650357.3
专利权人：中车时代电气
时间：2016-08-09
专利名称：一种压接型IGBT/FRD子单元测试装置及测试方法
专利号：201610672233.5
专利权人：中车时代电气
时间：2016-08-16
专利名称：一种压接型IGBT辅助发射极互联结构
专利号：201510405002.3
专利权人：中车时代电气
时间：2015-07-10
专利名称：一种新型压接型IGBT子模组结构
专利号：201510284780.1
专利权人：中车时代电气
时间：2015-05-29
专利名称：一种IGBT模块侧框紧固方法及其工装
专利号：201610688358.7
专利权人：中车时代电气
时间：2016-08-18
专利名称：一种贴片定位工装
专利号：201610234582.9
专利权人：中车时代电气
时间：2016-04-15
专利名称：二极管阴极金属化的制造方法
专利号：201510703315.7
专利权人：中车时代电气
时间：2015-10-26
专利名称：一种减小IGBT功率模块封装过程中GE短路的在线高效气相清洁方法
专利号：201510673315.7
专利权人：中车时代电气
时间：2015-10-16
专利名称：一种新型的自动化芯片分级贴装方法
专利号：201510657357.1
专利权人：中车时代电气
时间：2015-10-13
专利名称：一种防漏硅胶的功率模块侧框密封方法
专利号：201510559090.2
专利权人：中车时代电气
时间：2015-09-06
专利名称：一种改善半导体器件侧墙的工艺方法
专利号：201510546385.6
专利权人：中车时代电气
时间：2015-08-31
专利名称：一种功率半导体器件光刻对准标记及制作方法
专利号：201510535381.8
专利权人：中车时代电气
时间：2015-08-28
专利名称：一种具有缓冲层的半导体装置的制造方法
专利号：201510410797.7
专利权人：中车时代电气
时间：2015-07-14
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